本復(fù)試考試由兩部分組成，請(qǐng)考生根據(jù)自己的具體情況任選一部分進(jìn)行答題。

第一部分： 半導(dǎo)體集成電路復(fù)試大綱（參加微電子學(xué)復(fù)試的考生參考）

一、考試的總體要求

"半導(dǎo)體集成電路"是微電子技術(shù)專業(yè)的主干課程。本大綱包括"半導(dǎo)體特種效應(yīng)"、"半導(dǎo)體集成電路"。目的是考察考生對(duì)基本理論、基本知識(shí)、基本技能及分析問(wèn)題和解決問(wèn)題的能力。

二、考試內(nèi)容及比例

（一）半導(dǎo)體特種效應(yīng)（40%）

1、 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)：異質(zhì)結(jié)概念及能帶圖，異質(zhì)結(jié)鍺硅雙極晶體管的結(jié)構(gòu)、性能特點(diǎn)與原因，高電子遷移率晶體管的結(jié)構(gòu)、性能特點(diǎn)與原因；

2、 半導(dǎo)體光學(xué)性質(zhì)：半導(dǎo)體光吸收，半導(dǎo)體光電探測(cè)器, 半導(dǎo)體太陽(yáng)電池，半導(dǎo)體發(fā)光概念與應(yīng)用，半導(dǎo)體激光基本原理；

3、 半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)、半導(dǎo)體熱電效應(yīng)及其應(yīng)用、半導(dǎo)體壓阻效應(yīng)。

（二）半導(dǎo)體集成電路（60%）

1、 MOS 反相器及其基本邏輯單元 E/D 反相器、CMOS 反相器、自舉反相器、動(dòng)態(tài)反相器、

NMOS 邏輯結(jié)構(gòu)、傳輸門(mén)邏輯。

2、 導(dǎo)線模型及寄生參數(shù) 互連參數(shù)、集總式模型、分布式模型。

3、 CMOS 組合邏輯門(mén)的設(shè)計(jì) 靜態(tài) CMOS 組合邏輯、動(dòng)態(tài) CMOS 組合邏輯。

4、 時(shí)序邏輯電路設(shè)計(jì) 靜態(tài)鎖存器和寄存器、動(dòng)態(tài)鎖存器和寄存器、流水線、非雙穩(wěn)時(shí)序電路。

5、 數(shù)字電路中的時(shí)序問(wèn)題 數(shù)字系統(tǒng)的時(shí)序分類(lèi)、同步設(shè)計(jì)、自定時(shí)電路設(shè)計(jì)、時(shí)鐘的不確定性。

6、 設(shè)計(jì)運(yùn)算功能塊 數(shù)字處理器結(jié)構(gòu)中的數(shù)據(jù)通路、加法器、乘法器、移位器。

三、試卷題型及比例

1、 選擇，填空題：15%；

2、 簡(jiǎn)答題：30%；

3、 論述題：40%； 4、綜合題：15%。

四、考試形式及時(shí)間

考試形式為筆試，考試時(shí)間 1.5 小時(shí)，滿分 65 分。

五、參考書(shū)目

1、 半導(dǎo)體物理學(xué)，（第七版）， 劉恩科、朱秉升、羅晉生編著，電子工業(yè)出版社。

2、 半導(dǎo)體物理與器件，美 Neamen 著，趙毅強(qiáng)等譯，電子工業(yè)出版社；

3、 數(shù)字集成電路--電路、系統(tǒng)與設(shè)計(jì)，周潤(rùn)德等譯，電子工業(yè)出版社；

4、 半導(dǎo)體集成電路、朱正涌編著，清華大學(xué)出版社。

第二部分：薄膜電子技術(shù)復(fù)試大綱（參加固體電子學(xué)專業(yè)復(fù)試的考生參考）

一、考試的總體要求

"薄膜電子技術(shù)"是微電子學(xué)與固體電子學(xué)專業(yè)的主干課程。本課程的考試目的是考察學(xué)生對(duì)基本理論、基本知識(shí)、基本技能的掌握情況，考察學(xué)生分析問(wèn)題解決問(wèn)題的能力。

二、考試內(nèi)容及比例

1、薄膜的制備技術(shù)：

1) 真空技術(shù)基礎(chǔ)：

真空的基本知識(shí)，真空的獲得，真空度的表征和檢測(cè)。

2) 物理氣相沉積鍍膜技術(shù)：

真空蒸發(fā)鍍膜原理，蒸發(fā)源類(lèi)型及原理，蒸發(fā)特性及參數(shù)，合金及化合物蒸發(fā)。 濺射鍍膜類(lèi)型及原理、特點(diǎn)，濺射特性參數(shù)。 離子鍍膜原理、特點(diǎn)。

3) 化學(xué)氣相沉積鍍膜技術(shù)：

不同類(lèi)型化學(xué)氣相沉積鍍膜方法原理及特點(diǎn) 常壓化學(xué)氣相沉積，低壓化學(xué)氣相沉積，等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積，有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積，光化學(xué)氣相沉積。

4) 溶液鍍膜法：

化學(xué)鍍，溶膠-凝膠法，LB 膜的制備原理和特點(diǎn)。

2、薄膜形成理論：

1） 薄膜的形成過(guò)程,薄膜的形成與生長(zhǎng)形式。熱適應(yīng)系數(shù)，熱力學(xué)界面能理論，原子聚集理論。

2） 薄膜的結(jié)構(gòu)與缺陷： 薄膜的組織結(jié)構(gòu)、晶體結(jié)構(gòu)、表面結(jié)構(gòu)，薄膜的缺陷及產(chǎn)生機(jī)理。

3、薄膜結(jié)構(gòu)與化學(xué)組分檢測(cè)方法： X 射線衍射法，掃描電子顯微鏡法，俄歇電子能譜法，

X 射線光電子能譜法，檢測(cè)原理與特點(diǎn)。

三、試卷題型及比例

1、 選擇，填空題：15%；

2、 簡(jiǎn)答題：30%；

3、 論述題：40%； 4、綜合題：15%。

四、 考試形式及時(shí)間

考試形式為筆試，考試時(shí)間 1.5 小時(shí)，滿分 65 分。

五、 參考書(shū)目

薄膜物理與技術(shù)，楊邦朝等，電子科技大學(xué)出版社。